N6 SiC功率？槲1200V半桥SiC MOSFET功率？椋？榈纪ǖ缱璋2.9mΩ、2.2mΩ、1.5mΩ等，满足车用系统高功率密度的需求。？槲肭诺缏，内部采用多SiC芯片并联设计，通过串联门极电阻保证芯片均流。？椴捎玫偷绺、高效散热封装设计，模块功率回路杂散电感小于6.5nH。？椴捎没费踝⑺芊庾肮ひ眨琾infin水冷散热基板直接水冷散热，？槟诓坎捎酶呷鹊悸、高可靠性的AMB散热绝缘基板。SiC芯片采用双面银浆烧结及铜线键合连接，优先增加？槭褂檬倜？橥ü175℃ AQG-324可靠性认证，可长期工作在175℃结温环境。